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          產(chǎn)品名稱:
          PCB板清洗廢水 高濃度廢水處理設(shè)備
          產(chǎn)品品牌: Onyx/安力斯 訪問(wèn)量: 2570
          廠商性質(zhì): 生產(chǎn)廠家 更新時(shí)間: 2025-05-28

          PCB板清洗廢水處理:根據(jù)精密電子清洗工藝及清洗化學(xué)劑的成分綜合考慮,我們采用工藝流程為“預(yù)處理+光芬頓+混凝沉淀+精密過(guò)濾+RO反滲透",其主要的COD負(fù)荷及核心工藝為光芬頓,此外RO脫鹽的同時(shí),也起到尾端出水的水質(zhì)保障功能,使出水能達(dá)到回用要求。考慮到精密電子行業(yè)的占地和現(xiàn)場(chǎng)要求,將該工藝標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計(jì),集裝箱結(jié)構(gòu)形式,現(xiàn)場(chǎng)使用和運(yùn)行更加靈活。

          產(chǎn)品概述

          PCB板清洗廢水處理

          精密電子清洗

           精密電子清洗包含SMT電子清洗、功率電子清洗和先進(jìn)封裝清洗,清洗后會(huì)產(chǎn)生清洗廢水

           SMT電子清洗涵蓋去除印制電路板(PCBA)、鋼網(wǎng)/絲網(wǎng)、誤印板、SMT回流爐、波峰爐的維護(hù)部件夾具上的助焊劑及錫膏殘留。對(duì)于印制電路板清洗(PCBA清洗),主要目標(biāo)是去除電路板上的松香、樹(shù)脂殘留物,以及生產(chǎn)過(guò)程中的其他污染,這對(duì)后續(xù)工序中的邦線和塑形涂敷都是很有幫助的。清洗過(guò)程中需要加入專用的清洗劑,如PCBA清洗一般加入水洗型清洗劑(俗稱洗板水)清洗工藝上盡管做到了很大程度的回收利用,但是不可避免的會(huì)產(chǎn)生清洗廢水,這類清洗廢水需要通過(guò)工藝處理后回用或達(dá)標(biāo)排放

          功率電子清洗主要去除功率電子器件,如功率模塊/DCB/IGBT、引線框架/分立器件和高功率LED等元器件上的助焊劑殘留。在功率電子制造行業(yè),清洗IGBT模塊,即DCB(也稱為DBC)是有必要的。首先在芯片焊接之后的綁線工藝之前,必須準(zhǔn)備好潔凈的基材表面。另外,基材焊接到散熱單元之后,即熱沉焊接之后,進(jìn)行DCB清洗也是必須的。功率模塊清洗工藝的兩個(gè)主要需求:1去除助焊劑殘留物,尤其是去除飛濺在基材和芯片上的助焊劑2基材和芯片經(jīng)目檢無(wú)瑕疵,例如沒(méi)有氧化層。此清洗過(guò)程同樣會(huì)產(chǎn)生清洗廢水,且同樣需要通過(guò)工藝處理后回用或達(dá)標(biāo)排放。

          先進(jìn)封裝清洗涵蓋了倒裝芯片,2.5D/3D TSV硅通孔、BGA植球、MEMSQFN和晶圓級(jí)封裝。清洗工藝用于預(yù)植球,即焊錫凸塊回流工藝之后,去除芯片和基材之間狹小空間里的助焊劑殘留物,為了達(dá)到很好的圖形分辨率,清洗工藝也需要攝像模組達(dá)到零微塵和零水痕。去除助焊劑殘留和微塵殘留,可有效避免圖像傳感器上的壞點(diǎn)產(chǎn)生。例如,倒裝芯片 & 2.5D/3D TSV 清洗,過(guò)倒裝芯片(FlipChip),2.5D封裝(interposerRDL),3D封裝(TSV)這些系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)將芯片貼裝后,引線鍵合、底部填充以及塑封成型前的助焊劑去除是至關(guān)重要的挑戰(zhàn),特別是對(duì)于TSV封裝、不斷提高的封裝密度和日益縮減的底部間隙。先進(jìn)封裝清洗過(guò)程中也會(huì)產(chǎn)生清洗廢水需要處理后回用過(guò)達(dá)標(biāo)排放。



          PCB板清洗廢水處理工藝:

          工藝流程:

          根據(jù)以上精密電子清洗工藝及清洗化學(xué)劑的成分綜合考慮,我們采用工藝流程為“預(yù)處理+光芬頓+混凝沉淀+精密過(guò)濾+RO反滲透",其主要的COD負(fù)荷及核心工藝為光芬頓,此外RO脫鹽的同時(shí),也起到尾端出水的水質(zhì)保障功能,使出水能達(dá)到回用要求。考慮到精密電子行業(yè)的占地和現(xiàn)場(chǎng)要求,將該工藝標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計(jì),集裝箱結(jié)構(gòu)形式,現(xiàn)場(chǎng)使用和運(yùn)行更加靈活。


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          1一體化集成工藝集裝箱設(shè)備

          光芬頓原理:

          Fenton氧化工藝是利用Fe2+與H2O2互相反應(yīng)得到的強(qiáng)氧化性的羥基自由基,將廢水中的難降解有機(jī)物加以降解的技術(shù)。

          把光引進(jìn)芬頓試劑并不是普通芬頓與UV或 H2O2的簡(jiǎn)單組合,其核心在于,在UV高強(qiáng)光量子的激發(fā)下,F(xiàn)e3+能夠重新轉(zhuǎn)化為Fe2+,光還原產(chǎn)生的Fe2+繼續(xù)與H2O2反應(yīng),使•OH產(chǎn)率增加,加速有機(jī)物的分解速率,從而實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的一個(gè)閉路循環(huán)和控制。

          此外,紫外線和Fe2+對(duì)H2O2的催化分解存在協(xié)同效應(yīng),即H2O2分解速率遠(yuǎn)大于Fe2+或紫外線催化H2O2分解速率的簡(jiǎn)單加和,這一方面是在光催化作用下,部分Fe3+可以轉(zhuǎn)化為Fe2+,另外鐵的某些絡(luò)合物在紫外線作用下會(huì)生成羥基自由基。

          光芬頓優(yōu)點(diǎn)

          1、紫外光和Fe2+對(duì)H2O2催化分解存在協(xié)同效應(yīng),反應(yīng)效率得到較大提升;

          2、Fe3+和Fe2+能保持良好的循環(huán)反應(yīng),提高了傳統(tǒng)芬頓試劑的效率;

          3、能大幅提升鐵離子的利用率,鐵鹽投加量和污泥產(chǎn)量較傳統(tǒng)芬頓均降低,節(jié)省運(yùn)行成本。






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